TI推出業內較小、較快的GaN驅動器，擴展其GaN電源產品組合

關鍵字：應用 半導體 電源 電力 可靠性 

德州儀器（TI）(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。

憑借業內較佳的驅動速度以及1 ns的較小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于較大限度地減少柵極環路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器，專為高達200 V的GaN場效應晶體管而設計。該器件的可調死區時間控制功能能夠將高速DC / DC轉換器、電機驅動器、D類音頻放大器及其它功率轉換應用效率提高多達5％。設計人員可利用超過300 V / ns的業內較高共模瞬態抗擾度（CMTI）實現較高的系統抗噪聲能力。

• 高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現遠程LIDAR應用。

• 高效率：這兩款器件均可實現高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制，可將效率提高多達5％。

• 功率密度：LMG1210中的死區時間控制集成功能可減少元件數量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業內較小封裝和較高分辨率。

 

LMG1020和LMG1210是業界較大的GaN電源產品組合中的較新成員，從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術帶來數十年的硅制造專業技術和高級器件開發人才。

TI將于當地時間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應用展覽會（APEC），并展示其廣泛的GaN產品組合以及GaN技術。

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始他們的氮化鎵設計。

LMG1020和LMG1210的原型樣品現已在TI商店和公司的授權分銷網絡上提供。 LMG1020采用WCSP封裝，而LMG1210采用四方扁平無引腳（QFN）封裝。

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• 查看TI GaN解決方案的GaN電源產品組合。

• 下載應用報告，“利用LMG1210 GaN驅動器的死區時間控制功能來優化效率�！�

• 閱讀博客文章，“GaN驅動器的開關速度超越現今技術�！�

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德州儀器 (TI) 是一家全球性半導體設計制造公司，始終致力于模擬 IC 及嵌入式處理器開發。TI 擁有全球頂尖人才，銳意創新，塑造技術行業未來。今天，TI 正攜手超過 10 萬家客戶打造更美好未來。更多詳情，敬請查閱http://www.ti.com.cn。